SK海力士计划开发4F2结构DRAM以缩减成本

更新时间：2024-08-13 08:41:23

导读 SK海力士宣布计划开发4F2结构（垂直栅）的DRAM，就像其竞争对手三星一样。 SK海力士研究员指出，自1c DRAM商业化以来，极紫外 (EUV) 工...

SK海力士宣布计划开发4F2结构（垂直栅）的DRAM，就像其竞争对手三星一样。 SK海力士研究员指出，自1c DRAM商业化以来，极紫外 (EUV) 工艺的成本一直在快速上升，现在是时候质疑使用EUV制造DRAM是否有利可图了。(科创板日报)

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